1. MJE13005
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厂商型号

MJE13005 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 4A 400V 75W NPN

内部编号

277-MJE13005

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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MJE13005产品详细规格

规格书 MJE13005 datasheet 规格书
MJE13005
文档 Multiple Devices 19/Jun/2009
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 19/Jun/2009
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 1A, 4A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 8 @ 2A, 5V
功率 - 最大 2W
频率转换 4MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS No
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 700 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 400 V
发射极 - 基极电压VEBO 9 V
集电极 - 发射极饱和电压 700 V
集电极最大直流电流 4 A
增益带宽产品fT 4 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 10
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-220-3
连续集电极电流 4 A
最大功率耗散 2 W
最低工作温度 - 65 C
封装 Tube
工厂包装数量 50
寿命 Obsolete
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 4MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 1A, 4A
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 2W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 8 @ 2A, 5V
其他名称 MJE13005OS
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

MJE13005系列产品

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